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以下是关于搜索 海力士 相关文章的结果共有 4 条,当前显示最新 5 条结果。

Omdia:三星、SK 海力士下半年 DRAM 内存晶圆投片量有望回归减产前水平

秒收录4月3日消息,据《朝鲜日报》援引Omdia方面报告,三星电子、SK海力士下半年DRAM内存晶圆投片量有望回归减产前水平,结束近一年的减产,实现DRAM领域业务正常化。报告显示,三星电子本季度开始将月度DRAM内存晶圆投片量上调至60万片,相较上季度提升13%;预计三星将于下半年开始进一步上调投片量至每月66万片,持平减产前水平。...

更新时间:2024-04-25 09:45:09

消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程

秒收录4月23日消息,韩媒TheElec在报道中表示,预测SK海力士将在HBM4内存的基础裸片(BaseDie)部分采用台积电7nm制程。目前台积电7nm系产能大部分已迁移至6nm变体,因此韩媒的表达更适合作为“7nm系”制程理解。HBM内存的基础裸片是DRAM堆叠的底座,同时也作为控制器负责同处理器进行通信。SK海力士上周同台积电签...

更新时间:2024-04-25 07:45:43

SK 海力士和台积电签署谅解备忘录,目标 2026 年投产 HBM4

感谢秒收录网友西窗旧事的线索投递!秒收录4月19日消息,SK海力士宣布和台积电签署谅解备忘录(MOU),推进HBM4研发和下一代封装技术,目标在2026年投产HBM4。根据双方签署的谅解备忘录,两家公司初期目标是改善HBM封装内最底层基础裸片(BaseDie)的性能。秒收录注:HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片...

更新时间:2024-04-25 07:41:18

SK 海力士宣布将清州 M15X 定为 DRAM 生产基地,向厂房投资约 5.3 万亿韩元

秒收录4月24日消息,SK海力士宣布,为应对用于AI的半导体需求剧增,决定扩充AI基础设施(Infra)的核心产品即HBM等新一代DRAM的生产能力(Capacity)。当天,公司通过董事会决议,将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地,并决定向厂房(Fab)建设投资约5.3万亿韩元(秒收录备注:当前约279.31...

更新时间:2024-04-25 06:34:24


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