感谢秒收录网友、lemon_meta的线索投递！秒收录3月12日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会有望放宽对HBM4内存的高度限制，内存厂商无需被迫转向混合键合。作为对DRAM进行3D堆叠的产品，z轴封装高度限制对HBM内存有着很大影响。目前HBM内存最大DRAM堆叠层数为12层，允许的最大厚...

更新时间：2024-04-25 08:45:49

秒收录4月19日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于HBM内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将TC-NCF工艺用于16层HBM4内存的生产。TC-NCF是一种有凸块的传统多层DRAM间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用TC-NCF生产相同层数的HBM内存会相对更厚。三星表示，其前...

更新时间：2024-04-25 07:52:18

感谢秒收录网友lemon_meta的线索投递！秒收录4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样品...

更新时间：2024-04-25 07:22:01

秒收录4月24日消息，据韩媒ETNews报道，三星电子正探索将混合键合技术用于逻辑芯片，最早2026年推出采用3D封装的2nm移动端处理器。秒收录注：混合键合技术是一种无凸块（焊球）的直接铜对铜键合技术。相较采用凸块的传统键合技术，混合键合可降低上下层芯片间距，提升芯片之间的电信号传输性能，。混合键合已在3DNAND闪存中使用，未来即...

更新时间：2024-04-25 06:35:50