感谢秒收录网友、lemon_meta的线索投递！秒收录3月12日消息，据韩媒ZDNetKorea报道，行业标准制定组织JEDEC固态技术协会有望放宽对HBM4内存的高度限制，内存厂商无需被迫转向混合键合。作为对DRAM进行3D堆叠的产品，z轴封装高度限制对HBM内存有着很大影响。目前HBM内存最大DRAM堆叠层数为12层，允许的最大厚...

更新时间：2024-04-25 08:45:49

秒收录4月19日消息，三星半导体近日在韩国官网刊登了对两位高管关于HBM内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将TC-NCF工艺用于16层HBM4内存的生产。TC-NCF是一种有凸块的传统多层DRAM间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用TC-NCF生产相同层数的HBM内存会相对更厚。三星表示，其前...

更新时间：2024-04-25 07:52:18

秒收录4月23日消息，韩媒TheElec在报道中表示，预测SK海力士将在HBM4内存的基础裸片（BaseDie）部分采用台积电7nm制程。目前台积电7nm系产能大部分已迁移至6nm变体，因此韩媒的表达更适合作为“7nm系”制程理解。HBM内存的基础裸片是DRAM堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。SK海力士上周同台积电签...

更新时间：2024-04-25 07:45:43

感谢秒收录网友西窗旧事的线索投递！秒收录4月19日消息，SK海力士宣布和台积电签署谅解备忘录（MOU），推进HBM4研发和下一代封装技术，目标在2026年投产HBM4。根据双方签署的谅解备忘录，两家公司初期目标是改善HBM封装内最底层基础裸片（BaseDie）的性能。秒收录注：HBM是将多个DRAM裸片（CoreDie）堆叠在基础裸片...

更新时间：2024-04-25 07:41:18

感谢秒收录网友lemon_meta的线索投递！秒收录4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存，该内存样品...

更新时间：2024-04-25 07:22:01